1. Introducción al IGBT
Conceptuales
- 1.2. Estructura: terminales, principio de conmutación
- 1.3. Principio de funcionamiento
- 1.3.1Estructura del IGBT
- 1.3.2Operación del IGBT
- 1.3.2.1Bloque
- 1.3.2.2Conducción
- 1.4. Aplicaciones, comparaciones y usos.
- 1.5. Ventajas y desventajas
Procedimentales
- Utilización de la hoja de datos para transistores IGBT.
- Identificación física y simbólica de terminales (Puerta, Colector, Emisor) en diferentes encapsulados y su representación en esquemas técnicos.
- Análisis estructural entre las capas semiconductoras y la compuerta para comprender la naturaleza híbrida (mosfet/transistor) del dispositivo.
- Utilización de hoja de especificaciones de datos para los IGBT.
- Medición de parámetros eléctricos en transistores IGBT.
- Construcción de circuitos con transistores IGBT.
- Construcción de circuitos con transistores IGBT para aplicaciones de conmutación.
- Elaboración de una tabla que compare parámetros clave (velocidad de conmutación, caída de tensión en conducción impedancia de entrada, etc.) entre el IGBT, MOSFET y BJT.
Actitudinales
- Valoración de la exactitud al medir voltajes de control para evitar la ruptura de la capa de óxido de la puerta.
- Conciencia del riesgo eléctrico al trabajar con altos voltajes y corrientes, propios de las aplicaciones del IGBT.
- Capacidad para decidir entre un IGBT sobre un MOSFET o un BJT basándose en la eficiencia energética.
- Toma de conciencia sobre la utilización apropiada de las guías de los fabricantes.
- Responsabilidad en la selección y uso del IGBT según la aplicación.
- Disposición para actualizar conocimientos ante nuevas tecnologías híbridas o mejoras en semiconductores (como el MOSFET de silicio de carburo SiC.)
Indicadores de logro
- Interpreta apropiadamente la guía del fabricante para la identificación de parámetros eléctricos del IGBT.
- Determina las características de control y conducción del IGBT en circuitos de potencia.
- Compara características de funcionamiento de los IGBT en aplicaciones de potencia.
- Ensambla circuitos de potencia utilizando transistores IGBT.
- Selecciona con precisión un IGBT frente a otros semiconductores (MOSFET/BJT) en un caso de diseño de potencia, argumentando su decisión entre frecuencia de conmutación y caída de tensión.